【투데이신문 박주환 기자】 SK하이닉스가 극자외선 공정을 활용한 10나노급 4세대 D램의 양산을 시작했다.

12일 SK하이닉스는 10나노급 4세대 미세공정을 적용한 8Gbit LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초부터 착수했다고 밝혔다. 

LPDDR4는 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램을 말한다. DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로 DDR1-2-3-4로 세대가 바뀌어 왔다. 

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)로 이어져 왔으며 4세대 기술은 1a라고 부른다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다.

특히 이 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV(극자외선) 공정 기술을 통해 양산된다는 점에서 의미가 있다. EUV 공정은 극자외선 파장을 이용해 기존보다 반도체 회로 패턴을 더욱 세밀하게 제작할 수 있어 생산성과 고성능 확보가 가능하다. 

반도체 기업들은 공정이 극도로 미세화되면서 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에EUV 장비를 잇따라 도입하고 있다. 업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 방침이다.

또 SK하이닉스는 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 1a D램은 이전 세대와 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약25% 늘어났다. 

올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대된다는 설명이다.

이밖에도 이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 

저전력 강점을 보강함으로써 탄소 배출을 줄일 수 있어 SK하이닉스는 이 제품이 ESG 경영 관점에서도 의미가 있다고 보고 있다. 

SK하이닉스 1a D램 TF장 조영만 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 말했다.